|
| 브랜드 이름: | GEZHI or OEM |
| 모델 번호: | GZ-FSW-D2x2B |
| 모크: | 1PC |
| 가격: | 협상 가능 |
| Delivery Time: | 2-7 일 일 |
| 지불 조건: | T/T, 서부 동맹 |
1x16 싱글모드 넓은 패스밴드 MEMS 섬유 광학 스위치
GEZHI의 MEMS 광학 스위치는 마이크로 전기 기계 체계 (MEMS) 칩에 근거를 둡니다. MEMS 칩은 실리콘 지원에 전기로 움직일 수 있는 거울으로 이루어져 있습니다. MEMS 칩에 적용된 전압은 MEMS 광학 스위치의 입출력 섬유 사이 빛의 연결을 바꾸는 거울이 자전하는 원인이 됩니다.
특징
고속 엇바꾸기 시간
높은 안정성 및 높은 신뢰성
낮은 삽입 손실 및 낮은 PDL
충격과 진동에게 무신경한
신청
전환
네트워크 감시
막기
명세
| 모수 | 단위 | 가치 |
| 엇바꾸기 채널 | -- | 1XN (1X4,1X8,1x12,1X16,1X32) |
| 파장 | nm | C band/L band/C+L/others |
| 삽입 손실 | dB | ≤0.8/1.0/1.2/1.5/1.7 |
| 반복성 | dB | ≤±0.02 |
| 복귀 손실 | dB | ≥50 |
| 교차하는 대화 | dB | ≥50 |
| 파장 종 손실 | dB | ≤0.3 |
| 분극 종 손실 | dB | ≤0.2 |
| 온도 종 손실 | dB | ≤0.3 |
| 엇바꾸기 시간 | Ms | ≤15 |
| 광학적인 힘 취급 | MW | ≤500 |
| 유형을 전환하십시오 | -- | 비 걸쇠를 걸기 |
| 힘 전압 | V | 5±10% |
| 전력 소비 | W | ≤0.4 |
| 내구성 | 주기 | 10억Min. |
| 작용 온도 | ℃ | -5 ~+70 |
| 작동 상대 습도 | %RH | 5~90 |
| 저장 온도 | ℃ | -40 ~ +85 |
| 저장 상대 습도 | %RH | 5~90 |
| 섬유 유형 | -- | SMF-28 또는 동등물 |
주:
1. 연결관 없이 지정하는;
2. O 밴드: 1290~1330nm의 C 밴드: 1530~1570nm, L 밴드: 1570~1610nm의 가득 차있는 밴드: 1270~1620nm
3. IL는 CWL의 23 ℃에 측정됩니다. IL는 단 하나 밴드를 위해 입니다. 듀얼-밴드 0.2 dB를 추가합니다.
4. WDL는에서 23 ℃에 a +/- 20nm 범위 측정됩니다
5. 반복성은 100개 주기 후에 정의됩니다
6. 섬유 유형: 0.9mm 느슨한 관 또는 동등물을 가진 SMF-28
MEMS 칩
순서 정보
GZ MS 1x16 x x xx xx x
| 형태 | 채널 | 파장 | 섬유 유형 | 섬유 길이 | 연결관 | 유형을 통제하십시오 |
| MS=MEMS 스위치 |
1xN N를, N≤32 지정하십시오 |
1=O 밴드 2=C 밴드 3=L 밴드 4=C+L 5=O+C X=Customized |
1=SMF-28 X=Customized |
05=0.5M 10=1.0m X=Others |
NC=None FP=FC/UPC FA=FC/APC SP=SC/UPC SA=SC/APC LP=LC/UPC LA=LC/APC |
1=TTL/I2C 2=TTL/RS232 |
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| 브랜드 이름: | GEZHI or OEM |
| 모델 번호: | GZ-FSW-D2x2B |
| 모크: | 1PC |
| 가격: | 협상 가능 |
| 포장에 대한 세부 사항: | 플라스틱 상자를 가진 거품에 있는 2pcs |
| 지불 조건: | T/T, 서부 동맹 |
1x16 싱글모드 넓은 패스밴드 MEMS 섬유 광학 스위치
GEZHI의 MEMS 광학 스위치는 마이크로 전기 기계 체계 (MEMS) 칩에 근거를 둡니다. MEMS 칩은 실리콘 지원에 전기로 움직일 수 있는 거울으로 이루어져 있습니다. MEMS 칩에 적용된 전압은 MEMS 광학 스위치의 입출력 섬유 사이 빛의 연결을 바꾸는 거울이 자전하는 원인이 됩니다.
특징
고속 엇바꾸기 시간
높은 안정성 및 높은 신뢰성
낮은 삽입 손실 및 낮은 PDL
충격과 진동에게 무신경한
신청
전환
네트워크 감시
막기
명세
| 모수 | 단위 | 가치 |
| 엇바꾸기 채널 | -- | 1XN (1X4,1X8,1x12,1X16,1X32) |
| 파장 | nm | C band/L band/C+L/others |
| 삽입 손실 | dB | ≤0.8/1.0/1.2/1.5/1.7 |
| 반복성 | dB | ≤±0.02 |
| 복귀 손실 | dB | ≥50 |
| 교차하는 대화 | dB | ≥50 |
| 파장 종 손실 | dB | ≤0.3 |
| 분극 종 손실 | dB | ≤0.2 |
| 온도 종 손실 | dB | ≤0.3 |
| 엇바꾸기 시간 | Ms | ≤15 |
| 광학적인 힘 취급 | MW | ≤500 |
| 유형을 전환하십시오 | -- | 비 걸쇠를 걸기 |
| 힘 전압 | V | 5±10% |
| 전력 소비 | W | ≤0.4 |
| 내구성 | 주기 | 10억Min. |
| 작용 온도 | ℃ | -5 ~+70 |
| 작동 상대 습도 | %RH | 5~90 |
| 저장 온도 | ℃ | -40 ~ +85 |
| 저장 상대 습도 | %RH | 5~90 |
| 섬유 유형 | -- | SMF-28 또는 동등물 |
주:
1. 연결관 없이 지정하는;
2. O 밴드: 1290~1330nm의 C 밴드: 1530~1570nm, L 밴드: 1570~1610nm의 가득 차있는 밴드: 1270~1620nm
3. IL는 CWL의 23 ℃에 측정됩니다. IL는 단 하나 밴드를 위해 입니다. 듀얼-밴드 0.2 dB를 추가합니다.
4. WDL는에서 23 ℃에 a +/- 20nm 범위 측정됩니다
5. 반복성은 100개 주기 후에 정의됩니다
6. 섬유 유형: 0.9mm 느슨한 관 또는 동등물을 가진 SMF-28
MEMS 칩
순서 정보
GZ MS 1x16 x x xx xx x
| 형태 | 채널 | 파장 | 섬유 유형 | 섬유 길이 | 연결관 | 유형을 통제하십시오 |
| MS=MEMS 스위치 |
1xN N를, N≤32 지정하십시오 |
1=O 밴드 2=C 밴드 3=L 밴드 4=C+L 5=O+C X=Customized |
1=SMF-28 X=Customized |
05=0.5M 10=1.0m X=Others |
NC=None FP=FC/UPC FA=FC/APC SP=SC/UPC SA=SC/APC LP=LC/UPC LA=LC/APC |
1=TTL/I2C 2=TTL/RS232 |
